不建议用于新设计

JANSF2N7503U8

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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封装

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JANSF2N7503U8
JANSF2N7503U8
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R5 技术是这款 100V、6.9A、单辐射硬 N 沟道 MOSFET 的基础，采用 SMD-0.2带陶瓷盖的包装。其电气性能可处理高达 300krad(Si) TID，并且该设备符合 QPL 认证。JANSF2N7503U8 在 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中具有较低的功率损耗，并且 LET 的有用性能高达 80MeV·cm2/mg。

应用

文档

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