JANSF2N7503U8C
不建议用于新设计

JANSF2N7503U8C

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7503U8C
JANSF2N7503U8C
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    4.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7503U8C 是一款抗辐射、100V、6.9A、单 N 通道 MOSFET，封装在 SMD-0.2带陶瓷盖的包装。其电气性能可处理高达 300krad(Si) TID，且该设备具有 QPL 分类。该 R5 MOSFET 在 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中具有较低的功率损耗，并且有用性能高达 80MeV·cm2/mg 的 LET。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区