JANSF2N7550D1
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JANSF2N7550D1

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封装

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JANSF2N7550D1
JANSF2N7550D1
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -28.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -45 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7550D1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    50 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Tabless SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
P 通道 MOSFET JANSF2N7550D1 是单个抗辐射元件，额定电压为 -100V，容量为 -45A。其 TO-254AA Tabless SMD 封装具有高达 300krad (Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区