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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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JANSF2N7591U3
商品详情
-
ESD等级Class 2
-
ID (@100°C) max10 A
-
ID (@25°C) max16 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7591U3
-
RDS (on) (@25°C) max130 mΩ
-
TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS200 V
-
VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R6
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
JANSF2N7591U3 是一款采用 SMD-0.5 封装的抗辐射、200V、16A N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 的电气性能高达 300krad(Si) TID、QPL 分类和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和快速开关时间可降低功率损耗，从而提高 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关的功率密度。