JANSF2N7598U3
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JANSF2N7598U3

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JANSF2N7598U3
JANSF2N7598U3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2.9 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V, 1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
The rad hard N-channel MOSFET JANSF2N7598U3 in a SMD-0.5 package is designed for high speed switching applications of up to 600V and 3.4A. With improved immunity to SEE and electrical performance up to 300krad (Si) TID, this MOSFET is ideal for space applications. Its very low RDS(on) and faster switching times increase power density and reduce power loss.

特性

  • Single Event Effect (SEE) Hardened
  • Low RDS(on)
  • Low Total Gate Charge
  • Simple Drive Requirements
  • Hermetically Sealed
  • Light Weight
  • Surface Mount
  • ESD Rating: Class 2 (MIL-STD-750, 1020)
  • Fast Switching
  • Ceramic Package
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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