JANSF2N7626UBN
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JANSF2N7626UBN

数据手册
封装

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JANSF2N7626UBN
JANSF2N7626UBN
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    -0.33 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7626UB
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1300 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    2
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
P 通道 MOSFET JANSF2N7626UBN 是单个抗辐射元件，额定电压为 -60V，容量为 -0.53A。其 UBN 封装具有高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R7 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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