JANSF2N7647D5
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JANSF2N7647D5

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封装

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JANSF2N7647D5
JANSF2N7647D5
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    28 A
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647D5
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7647D5 R9 N 沟道 MOSFET 是一种适用于空间应用的抗辐射功率器件。其额定电压为 60V，额定电流为 30A，符合 QPL 标准，具有低 RDS(on) 和快速开关时间。它保持了电气参数的温度稳定性，并提高了对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，以实现有用的性能，线性能量转移 (LET) 高达 90MeV·cm2/mg。

应用

文档

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