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JANSF2N7647D5

数据手册
封装

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JANSF2N7647D5
JANSF2N7647D5
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    28 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7647D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7647D5 R9 N 沟道 MOSFET 是一种适用于空间应用的抗辐射功率器件。其额定电压为 60V，额定电流为 30A，符合 QPL 标准，具有低 RDS(on) 和快速开关时间。它保持了电气参数的温度稳定性，并提高了对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，以实现有用的性能，线性能量转移 (LET) 高达 90MeV·cm2/mg。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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