JANSF2N7648U3
现货，推荐

JANSF2N7648U3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7648U3
JANSF2N7648U3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    34 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R9 N 沟道 MOSFET 是一款采用 SMD-0.5 封装的单个器件，额定电压为 100V，电流为 35A。JANSF2N7648U3 具有抗辐射性能，并被归类为 QPL，可用于空间应用。其低 RDS(on)、更快的开关时间和更高的 SEE 抗扰度使其成为高速开关应用的理想选择。电气性能额定高达 300krad(Si) TID，有用性能表征 LET 高达 90MeV·cm2/mg。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区