JANSF2N7652T1
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JANSF2N7652T1

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JANSF2N7652T1
JANSF2N7652T1
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    7 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7652T1 是一款抗辐射太空级 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装，电压高达 60V，电流容量为 45A。这款 R9 超结 MOSFET 具有高达 300krad (Si) TID 电气性能和更高的 SEE 抗扰度，可降低功率损耗并提高高速应用中的功率密度，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。LET高达90MeV·cm2/mg。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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