JANSF2N7660U3CE
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JANSF2N7660U3CE

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封装

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JANSF2N7660U3CE
JANSF2N7660U3CE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -24 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7660U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.072 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7661U3CE 是一款耐辐射的 P 沟道 MOSFET，耐压 -100 V，额定电流 -24 A，采用带陶瓷盖的单个 SMD-0.5e 增强型封装，电性能高达 100 krad（Si）TID。IR HiRel R9 技术为空间应用提供卓越的功率 MOSFET。

特性

  • 抗单粒子效应加固
  • 低 RDS(on)
  • 坚固的 SOA
  • 雪崩耐受能量提升
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面安装
  • 静电防护等级：2 级（MIL-STD-750，1020）
文档

设计资源

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