JANSF2N7661U3CE
即将推出
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JANSF2N7661U3CE

Rad hard, -200 V, -15 A, MOSFET in SMD-0.5e Ceramic Lid package – 300 krad TID, JANS
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JANSF2N7661U3CE
JANSF2N7661U3CE
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商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -15 A
  • QG
    49 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.175 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7661U3CE P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -15A, in a single SMD-0.5e enhanced package with a ceramic lid and electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

特性

  • SEE hardened
  • Low RDS(on)
  • Rugged SOA
  • Improved Avalanche Energy
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Light weight
  • Surface mount
文档

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