JANSG2N7269U
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JANSG2N7269U

数据手册
封装

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JANSG2N7269U
JANSG2N7269U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSG2N7269U 是单个抗辐射器件，可承受高达 200V 和 26A 的电压和电流。这款符合 QPL 标准的 R4 MOSFET 采用 SMD-1 封装，可提供高达 500krad(Si) TID 的电气性能。HEXFET 技术提供低 RDS(on) 和栅极电荷，使其非常适合开关应用。其经过验证的可靠性和性能专为太空应用而设计。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区