JANSG2N7394
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JANSG2N7394

数据手册
封装

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JANSG2N7394
JANSG2N7394
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    30 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7394
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    27 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSG2N7394 是单个 60V、35A 器件，电气性能高达 500krad(Si) TID。IR HiRel HEXFET 技术为空间应用提供了高性能功率 MOSFET。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可降低开关应用中的功率损耗。该器件采用 TO-254AA 封装并符合 QPL 认证。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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