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JANSR2N7431

数据手册
封装

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JANSR2N7431
JANSR2N7431
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    270 nC
  • QPL Part Number
    2N7431
  • RDS (on) (@25°C) max
    21 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7431 N 沟道 MOSFET 是一种适用于空间应用的高性能抗辐射功率器件。其工作电压为 60V，电流为 35A，电气性能高达 100krad(Si) TID。该单 N 沟道 R4 MOSFET 采用 TO-254AA 封装，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低功率损耗。采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，它可提供可靠性、电压控制、快速切换和温度稳定性。

应用

文档

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