JANSR2N7433
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JANSR2N7433

数据手册
封装

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JANSR2N7433
JANSR2N7433
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    25 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7433
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    70 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7433 抗辐射 MOSFET 是单 N 沟道器件，额定电压为 200V，电流为 35A，采用 TO-254AA 封装。其特点是总剂量和单粒子效应，电气性能高达 100krad（Si）TID 和 QPL 分类。HEXFET 技术为空间应用提供了高性能和可靠性。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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