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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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JANSR2N7467U2S
商品详情
-
ESD等级Class 3B
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最高 ID (@100°C)75 A
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最高 ID (@25°C)75 A
-
QG200 nC
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QPL部件号2N7467U2
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最高 RDS (on) (@25°C)3.5 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS30 V
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最高 VF1.3 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-2
-
极性N
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生成R5
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电压等级100 V
-
芯片尺寸6
-
认证标准DLA
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语言SPICE
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N 沟道 MOSFET JANSR2N7467U2S 是采用 SMD-2 封装的抗辐射设备，额定电压为 30V，额定电流为 75A。它提供高达 100krad (Si) TID 和 QPL 分类的电气性能，并采用 IR HiRel R5 技术，适用于空间应用中的高性能功率 MOSFET。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可减少功率损耗，并具有 MOSFET 优势，例如电压控制和快速开关。
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