现货,推荐

JANSR2N7469U2A

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7469U2A
JANSR2N7469U2A

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7469U2A 是一款单抗辐射 N 沟道 MOSFET,具有 100V、75A 容量。这款 R5 器件专为空间应用而设计,以其低 RDS(on) 和栅极电荷而闻名。JANSR2N7469U2A 符合 QPL 分类并采用 SupIR-SMD 封装,可提供高达 100krad TID 的电气性能。高性能设计确保快速开关、温度稳定性和电压控制,保留了 MOSFET 的所有公认优势。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }