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JANSR2N7494U5

数据手册
封装

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JANSR2N7494U5
JANSR2N7494U5
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    8 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    65 nC
  • QPL部件号
    2N7494U5
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7494U5 是一款专为空间应用而设计的单 N 沟道 MOSFET。该设备具有 30V、12A 容量，采用 IR HiRel R5 技术，该技术以其在卫星应用中数十年的高性能和可靠性而闻名。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可减少开关应用中的功率损耗，并且符合 QPL 标准。该抗辐射 MOSFET 采用 18 针 LCC 封装，电气性能高达 100krad TID。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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