JANSR2N7503U8
不建议用于新设计

JANSR2N7503U8

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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封装

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JANSR2N7503U8
JANSR2N7503U8
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    4.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7503U8 的额定电压和电流分别为 100V 和 6.9A，采用 SMD-0.2带陶瓷盖的包装。该 R5 MOSFET 的电气性能高达 100krad (Si) TID 和 QPL 分类，其 SEE 特性为 LET 高达 80MeV.cm2/mg。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优势。

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