JANSR2N7524D4
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JANSR2N7524D4

数据手册
封装

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JANSR2N7524D4
JANSR2N7524D4
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7524D4
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
P 通道 MOSFET JANSR2N7524D4 是单个抗辐射元件，额定电压为 -60V，容量为 -45A。其 TO-254AA 低欧姆封装具有高达 100krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，使其成为空间应用的理想选择。R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区