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JANSR2N7588T3

数据手册
封装

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JANSR2N7588T3
JANSR2N7588T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7588T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7588T3 N沟道MOSFET为空间应用提供了可靠的解决方案。这些抗辐射 R6 MOSFET 的额定电压为 100V，额定电流为 20A，具有总剂量和单粒子效应的特征。它们的低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少开关应用中的功率损耗，并提供电压控制和快速开关。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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