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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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JANSR2N7589U3
商品详情
-
ESD ClassClass 2
-
ID (@100°C) max12 A
-
ID (@25°C) max19 A
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QG50 nC
-
QPL Part Number2N7589U3
-
RDS (on) (@25°C) max88 mΩ
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS150 V
-
VF max1.2 V
-
Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100 300
-
PackageSMD-0.5
-
PolarityN
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GenerationR6
-
Voltage Class100 V
-
Die Size3
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QualificationDLA
-
LanguageSPICE
-
ConfigurationDiscrete
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OPN
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|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7589U3 可提供卓越的功率并降低功率损耗。该 R6 设备支持高达 100krad（Si）的总电离剂量，非常适合空间应用。它具有 150V 和 19A 容量，专为 DC-DC 转换器和电机控制器中的高速切换而设计。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间增加了空间电源系统的功率密度。