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JANSR2N7593U3

数据手册
封装

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JANSR2N7593U3
JANSR2N7593U3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7593U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    210 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7593U3 是额定电压为 250V、电流为 12.4A 的单个器件。它提高了对SEE的免疫力，LET高达90MeV·cm2/mg，电气性能高达100krad(Si)TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高功率密度应用的理想选择。JANSR2N7593U3 符合 QPL 标准并采用 IR HiRel R6 技术。

应用

文档

文档

设计资源

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