JANSR2N7593U3
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JANSR2N7593U3

数据手册
封装

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JANSR2N7593U3
JANSR2N7593U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7593U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    210 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7593U3 是额定电压为 250V、电流为 12.4A 的单个器件。它提高了对SEE的免疫力，LET高达90MeV·cm2/mg，电气性能高达100krad(Si)TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高功率密度应用的理想选择。JANSR2N7593U3 符合 QPL 标准并采用 IR HiRel R6 技术。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区