JANSR2N7594T3
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JANSR2N7594T3

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封装

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JANSR2N7594T3
JANSR2N7594T3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    40 nC
  • QPL部件号
    2N7594T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7594T3 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 250V，电流处理为 12A。采用TO-257AA低欧姆封装，其电气性能高达100krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使该 R6 QPL 成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区