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JANSR2N7616UBCN

数据手册
封装

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JANSR2N7616UBCN
JANSR2N7616UBCN
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UBC
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3 Ceramic lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3 Ceramic lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7616UBCN 是一款 N 沟道 MOSFET，额定电流为 60V/0.8A评级和 R7 UBC 套餐。它具有抗辐射性能，符合 QPL 标准，可以在高达 100krad(Si) TID 的辐射环境中运行。R7 器件在整个工作温度和辐射后保持单粒子栅极破裂和烧毁免疫力。它非常适合与 CMOS 和 TTL 控制电路连接，并可以增加输出电流。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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