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JANSR2N7626UBN

数据手册
封装

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JANSR2N7626UBN
JANSR2N7626UBN
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    -0.33 A
  • ID (@25°C) max
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL Part Number
    2N7626UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    1300 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    UB
  • Polarity
    P
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    2
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3- Metal lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3- Metal lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7626UBN P 通道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -60V，电流为 -0.53A，采用单个 UB 封装。其电气性能高达100krad(Si) TID和QPL分类。IR HiRel R7 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

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