JANSR2N7647U3CE
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JANSR2N7647U3CE
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商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.018 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射、60 V、40 A、N 沟道 MOSFET、R9,采用 SMD-0.5e(陶瓷盖)封装 – SMD-0.5e、100 krad(Si) TID、DLA

特性

  • 抗单粒子效应加固
  • 低 RDS(on) )
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表贴安装
  • 静电防护等级:2 级(MIL-STD-750,1020)
文档

设计资源

开发者社区