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JANSR2N7649T3

数据手册
封装

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JANSR2N7649T3
JANSR2N7649T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10.5 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL Part Number
    2N7649T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    110 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7649T3 是一款单抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，具有 250V、17A 容量。其低 RDS(on) 和增强的 SEE 免疫力使其成为高速开关应用的理想选择。这款 QPL 认证的 MOSFET 采用 TO-257AA 低欧姆封装，非常适合用于空间卫星总线和有效载荷电源系统，其特点是 LET 高达 90MeV·cm2/mg，TID 高达 100krad(Si)。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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