JANSR2N7657U9C
现货，推荐

JANSR2N7657U9C

20 V 至 650 V，符合 DLA 和 ESA 太空标准
数据手册
封装

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JANSR2N7657U9C
JANSR2N7657U9C
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    1B
  • 最高 ID (@25°C)
    4.4 A
  • QG
    10 nC
  • QPL部件号
    2N7657U9C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    570 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD 0.1
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD0.1
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD0.1
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，-250V，4.4A，N沟道MOSFET，R9采用SMD 0.1封装 - 100krad(Si) TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化（LET 高达 88.6 MeV·cm2 /mg）
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：1B 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区