JANSR2N7661T3
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JANSR2N7661T3

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Rad Hard, -200 V, -14 A, MOSFET in Low-Ohmic TO-257AA - 100 krad TID, JANS
数据手册
封装

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JANSR2N7661T3
JANSR2N7661T3
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商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -14 A
  • QG
    49 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    175 Ω
  • TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    Low-Ohmic TO-257AA
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    JANS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7661T3 is a R9 superjunction, rad hard, single P-channel MOSFET in a Low-Ohmic TO-257AA package that can handle -200 V and -14 A. It is optimal for space applications as its combination of low RDS(on), and improved SOA will allow for better performance in applications such as high-voltage DC-DC converters.

特性

  • Improved SOA for linear mode operation
  • Low RDS(on)
  • Improved avalanche energy
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Electrically isolated
  • Ceramic eyelets
  • ESD rating: class 2 (MIL-STD-750, 1020)
文档

设计资源

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