JANTXVF2N7481U3
现货，推荐

JANTXVF2N7481U3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANTXVF2N7481U3
JANTXVF2N7481U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7481U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    75 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
N 沟道 MOSFET JANTXVF2N7481U3 是采用 SMD 0.5 封装的抗辐射设备，能够处理 100V 和 22A。该 R5 MOSFET 的电气性能高达 300krad(Si) TID、符合 QPL 资格，有用性能高达 LET 80 MeV·cm2/mg。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为卫星总线和有效载荷电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区