JANTXVR2N7464T2
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JANTXVR2N7464T2

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封装

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JANTXVR2N7464T2
JANTXVR2N7464T2
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    1.6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    2.6 A
  • QG
    30 nC
  • QPL部件号
    2N7464T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1650 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANTXVR2N7464T2 是一款高性能抗辐射单 N 沟道 MOSFET，最大额定值为 500V 和 2.6A。其电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类，且具有低 RDS(on) 和栅极电荷，使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。该 MOSFET 采用 TO-205AF 封装，是卫星有效载荷和总线应用中经过验证的选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区