JANTXVR2N7472U2
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JANTXVR2N7472U2

数据手册
封装

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JANTXVR2N7472U2
JANTXVR2N7472U2
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    62 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7472U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    13.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SMD-2 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANTXVR2N7472U2 具有适用于空间应用的高性能功率技术。该 R5 MOSFET 支持高达 130V 和 62A，电气性能高达 100krad(Si) TID，QPL 分类。低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。JANTXVR2N7472U2 经过 SEE 测试，性能高达 80MeV·cm2/mg。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区