现货，推荐

JANTXVR2N7484T3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANTXVR2N7484T3
JANTXVR2N7484T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANTXVR2N7484T3 是单抗辐射器件，额定电压为 100V，额定电流为 18A。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并属于 QPL 分类。采用 TO-257AA 封装，其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。凭借在太空应用中经过验证的性能和可靠性，这款 R5 MOSFET 成为高性能太空电源系统的绝佳选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }