RIC7S113C4CDK
现货，推荐
符合RoHS标准

RIC7S113C4CDK

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

RIC7S113C4CDK
RIC7S113C4CDK
数据手册


商品详情

  • SEE
    81.9
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 产品类别
    Gate Driver
  • 供电电压 范围
    10 V 至 20 V
  • 偏置电源电压 范围
    5 V 至 20 V
  • 封装
    Die in waffle pack
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS (EM)
  • 超频
    Delay Matching 20 (ns)
  • 最高 输出电压
    20 V
  • 通道
    2

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
RIC7S113C4CDK 是 MIL-PRF-38534 K 类芯片，适用于抗辐射高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 RIC7S113。额定 TID 高达 100 Krad(Si)，温度范围为 -55°C 至 125°C。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区