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符合RoHS标准
无铅

S25FL064LABMFA010

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每件.
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S25FL064LABMFA010
S25FL064LABMFA010
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    54 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    108 / 54
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL064LABMFA010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 280
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 280
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL064LABMFA010是一款64 Mb汽车级SPI NOR闪存，采用65纳米浮栅技术，符合AEC-Q100 Grade 1（–40°C至+125°C）认证。支持单/双/四I/O SPI，最高108 MHz（SDR）或54 MHz（DDR），读取速度达54 MBps。具备256字节页缓冲、4 KB/32 KB/64 KB统一擦除、高级安全和2.7 V至3.6 V供电，适用于汽车和工业代码存储及XIP。

特性

  • SPI接口支持单/双/四I/O
  • 支持DDR和QPI模式
  • 256字节页编程缓冲区
  • 支持4KB、32 KB、64KB及芯片擦除
  • 最少10万次编程擦除周期
  • 最少20年数据保持
  • 安全区支持独立锁定位
  • 深度掉电模式保护数据
  • 2.7V至3.6V电源电压
  • 输入信号过冲容差±1.0 V（20ns）

产品优势

  • 多I/O选项提升数据传输速度
  • DDR/QPI加快读写效率
  • 大缓冲区提升编程效率
  • 多种擦除尺寸适应不同需求
  • 高耐久性保障长期可靠
  • 数据可安全保存20年
  • 安全区防止非法访问
  • 深度掉电防止误写
  • 兼容标准3V系统
  • 可安全应对电压尖峰

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }