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S25FL064P0XMFB000

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S25FL064P0XMFB000
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商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    40 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    104 / -
  • 系列
    FL-P
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S25FL064P0XMFB000
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL064P0XMFB000是一款64 Mbit、3.0 V SPI NOR闪存，采用90 nm MirrorBit®技术，拥有128个64 kB均匀扇区及灵活的子扇区擦除。支持最高104 MHz读取速度、双/四I/O模式，256字节页编程，每扇区可进行10万次编程/擦除，数据保持20年。安全OTP区域和强大保护功能，适用于汽车、工业和嵌入式应用。

特性

  • 3.0 V单电源供电
  • 90纳米MirrorBit工艺
  • 均匀64KB扇区，256字节页大小
  • CFI兼容，主机易集成
  • 页编程256字节，1.5毫秒
  • 普通读40 MHz，快速读104 MHz
  • 双/四I/O高性能读80 MHz
  • 支持块、扇区、子扇区擦除
  • 每扇区10万次擦写寿命
  • 典型数据保存20年
  • 多种数据保护模式
  • 一次性可编程OTP区

产品优势

  • 简化电源设计
  • 先进工艺提升可靠性
  • 灵活存储结构适用多场景
  • 易与主流主机兼容
  • 快速编程提升生产效率
  • 高速读取提升系统性能
  • 双/四I/O提升数据吞吐
  • 多种擦除方式灵活应用
  • 高耐久减少维护
  • 数据多年安全保存
  • 多重保护防止误写
  • OTP区保障数据安全

应用

文档

文档

设计资源

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