现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL128SAGBHI210

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封装
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每件.
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S25FL128SAGBHI210
S25FL128SAGBHI210
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL128SAGBHI210
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL128SAGBHI210是一款128 Mb（16 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用Infineon 65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，支持高达52 MBps（四路）和80 MBps（四路DDR）读取速度，核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备OTP、块保护和高级扇区保护。10万次擦写寿命、20年数据保持能力及AEC-Q100车规认证，适用于代码存储、XIP和数据存储。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4支持
  • SDR/DDR读模式最高80 MBps
  • 256B/512B页编程缓冲区
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP区域
  • 高级扇区/块保护功能
  • 灵活的 I/O 电压范围: 1.65 V to VCCV
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度可靠存储代码和数据
  • 快速擦除/编程提升系统性能
  • 灵活I/O兼容多主机
  • 高速读取适合XIP应用
  • 高效页缓冲加速编程
  • 多种擦除选项便于兼容旧系统
  • 长寿命减少维护
  • 数据保持确保长期可靠
  • OTP区域提升系统安全
  • 强大保护防止数据损坏
  • 宽电压适配多系统
  • 宽温度适应恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }