S25FL128SDSMFV001
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL128SDSMFV001

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封装
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S25FL128SDSMFV001
S25FL128SDSMFV001
数据手册


商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S25FL128SDSMFV001
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 705
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 705
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128SDSMFV001是一款128 Mb（16 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用Infineon 65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，支持最高52 MBps（Quad，104 MHz）和DDR模式下80 MBps高速读取。I/O电压范围1.65 V至3.6 V，适用于-40°C至+125°C，提供至少10万次擦写循环和20年数据保持。高级扇区保护、OTP阵列和硬件ECC确保嵌入式代码影像、XIP和数据存储的可靠性。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存储2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4数据宽度
  • 支持DDR读命令提升带宽
  • 256B/512B页编程缓存
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 1024字节一次性可编程区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 灵活的 I/O 电压范围: 1.65 V to VCCV
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度低成本存储方案
  • 快速读写提升系统性能
  • 灵活接口适配多主控
  • DDR/QIO实现高速访问
  • 大缓存提升编程效率
  • 多种擦除便于迁移
  • 可靠频繁更新与代码存储
  • 长期数据安全可靠
  • OTP保障设备身份与配置
  • 扇区保护防止误操作
  • 宽电压支持多系统
  • 宽温适用恶劣环境

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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