现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL256SDSBHVA10

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL256SDSBHVA10
S25FL256SDSBHVA10
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL256SDSBHVA10
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL256SDSBHVA10是一款256 Mb SPI NOR闪存，采用65纳米MIRRORBIT™技术，适用于嵌入式和汽车应用。支持单、双、四路SPI多I/O模式，最高读取速度80 MBps，页编程速率1.5 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，符合AEC-Q100 3级认证。安全特性包括1024字节OTP区、块保护和密码控制扇区保护。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存储2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4数据宽度
  • 支持DDR读命令提升带宽
  • 256B/512B页编程缓存
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 1024字节一次性可编程区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度低成本存储方案
  • 快速读写提升系统性能
  • 灵活接口适配多主控
  • DDR/QIO实现高速访问
  • 大缓存提升编程效率
  • 多种擦除便于迁移
  • 可靠频繁更新与代码存储
  • 长期数据安全可靠
  • OTP保障设备身份与配置
  • 扇区保护防止误操作
  • 宽电压支持多系统
  • 宽温适用恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }