现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL256SDSMFBG13

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封装
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S25FL256SDSMFBG13
S25FL256SDSMFBG13
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL256SDSMFBG13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL256SDSMFBG13是一款256 Mb SPI NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现高速编程和擦除。支持SPI多I/O接口（单/双/四数据线）及DDR读命令，最大读取速率80 MBps（Quad DDR，80 MHz）。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备混合或统一扇区，10万次擦写寿命，数据保持20年。通过AEC-Q100 Grade 1汽车级认证，适用于汽车和工业的代码存储、XIP和数据记录。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存储2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4数据宽度
  • 支持DDR读命令提升带宽
  • 256B/512B页编程缓存
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 1024字节一次性可编程区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度低成本存储方案
  • 快速读写提升系统性能
  • 灵活接口适配多主控
  • DDR/QIO实现高速访问
  • 大缓存提升编程效率
  • 多种擦除便于迁移
  • 可靠频繁更新与代码存储
  • 长期数据安全可靠
  • OTP保障设备身份与配置
  • 扇区保护防止误操作
  • 宽电压支持多系统
  • 宽温适用恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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