现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL512SDSMFV010

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每件.
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S25FL512SDSMFV010
S25FL512SDSMFV010
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL512SDSMFV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL512SDSMFV010是一款512 Mb（64 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用英飞凌65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse™架构，实现高速编程和擦除。支持单、双、四路SPI模式及DDR操作，读取速度高达80 MBps，页编程速率1.5 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备20年数据保持、10万次擦写、先进安全特性及AEC-Q100车规认证。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI接口，支持多I/O
  • 512 Mb (64 MB)容量
  • 支持SPI时钟高达133 MHz
  • 支持四路、双路、DDR读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256 KB扇区
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP安全区
  • 块与高级扇区保护

产品优势

  • 灵活I/O便于系统设计
  • 多I/O SPI提升数据速率
  • 大容量支持丰富存储
  • 133 MHz SPI实现快速访问
  • 四路/DDR读取速度快
  • 大缓冲区加快编程
  • ECC提升数据可靠性
  • 均匀扇区简化管理
  • 高耐久延长寿命
  • 20年数据安全
  • OTP区增强安全
  • 高级保护提升数据安全

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }