现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FS064SAGMFB011

数据手册
封装
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S25FS064SAGMFB011
S25FS064SAGMFB011
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FS064SAGMFB011
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 1365
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 1365
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS064SAGMFB011是一款64 Mb（8 MB）串行NOR闪存，采用Infineon 65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，提升编程和擦除性能。工作电压1.7 V至2.0 V，支持SPI多I/O，包括单、双、四和DDR模式，最高133 MHz。灵活的扇区结构、最多512字节页编程、强大数据保护和高级安全功能，确保可靠代码存储。通过AEC-Q100 Grade 1认证，宽温范围（-40°C至+125°C），适用于汽车、工业和嵌入式应用。

特性

  • 支持单/双/四/ QPI模式SPI
  • 支持DDR读命令
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • 混合与统一扇区擦除选项
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保持
  • 1024字节OTP阵列可锁定
  • 自动ECC单比特纠错
  • 高级扇区与块保护
  • 65 nm MIRRORBIT™技术
  • 供电电压1.7V至2.0 V
  • 工作温度最高+125°C

产品优势

  • 灵活I/O实现高速数据访问
  • DDR读提升系统性能
  • 大缓冲区加快编程速度
  • 多种擦除模式满足需求
  • 高耐久性确保可靠运行
  • 长期数据保存更安全
  • OTP阵列支持安全ID
  • ECC提升数据完整性
  • 强大保护防止数据丢失
  • 先进工艺实现高密度
  • 低电压降低功耗
  • 宽温度适应恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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