S25FS128SDSBHV200
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FS128SDSBHV200

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S25FS128SDSBHV200
S25FS128SDSBHV200
数据手册


商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S25FS128SDSBHV200
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 676
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 676
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
S25FS128SDSBHV200是一款128 Mbit（16 MB）汽车级串行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现快速编程和擦除。支持SPI多I/O，单、双、四路及DDR模式，最高读速80 MBps。工作电压1.7 V至2.0 V，温度范围-40°C至+125°C（AEC-Q100 Grade 1），提供混合和均匀扇区选项。适用于代码影射、XIP和嵌入式汽车系统。

特性

  • 串行外设接口（SPI）
  • 支持双倍数据速率（DDR）
  • 24或32位地址选项
  • 多I/O命令支持
  • 正常、快速、双、四、DDR四I/O读取
  • Burst Wrap、连续（XIP）、QPI模式
  • 256或512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC，单比特纠错
  • 混合与统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写周期
  • 最长20年数据保存
  • 1.7 V至2.0 V电源电压

产品优势

  • 灵活SPI兼容多主控
  • DDR与四I/O实现高速传输
  • 32位寻址支持大容量设计
  • 多I/O提升读写效率
  • 多种读取模式适应不同应用
  • XIP/QPI支持在位执行
  • 大页缓冲区加快编程
  • ECC提升数据可靠性
  • 灵活擦除便于分区
  • 高耐久延长寿命
  • 长期保存保障数据安全
  • 低电压降低功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区