S25FS512SAGBHI210
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FS512SAGBHI210

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S25FS512SAGBHI210
S25FS512SAGBHI210
数据手册


商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S25FS512SAGBHI210
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
S25FS512SAGBHI210是一款512 Mb（64 MB）车规级串行NOR闪存，采用1.8 V供电，支持133 MHz SPI多I/O接口，具备单/双/四数据线及DDR Quad I/O，最高读取速率达80 MB/s。基于65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，提供256 KB均匀扇区，具备OTP和密码保护等高级安全特性，工作温度范围-40°C至+105°C（AEC-Q100 Grade 2）。

特性

  • 支持多I/O的SPI接口
  • 支持0和3时钟模式
  • 支持DDR模式
  • 24/32位寻址
  • 兼容S25FL系列命令集
  • 多种读取模式：普通、快速、双/四I/O、DDR四I/O
  • 支持包裹、连续（XIP）、QPI模式
  • 256/512字节页编程缓存
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最低20年数据保持

产品优势

  • 灵活I/O提升数据传输速率
  • DDR模式提高吞吐量
  • 大缓存加快编程速度
  • ECC提升数据可靠性
  • 多种擦除适配不同设计
  • 高耐久保证长寿命
  • 长期数据保存更安全
  • 低电压降低能耗
  • 深度掉电节省能耗
  • OTP区增强系统安全
  • 高级保护防止非法访问
  • 兼容现有设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区