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符合RoHS标准
无铅

S25FS512SDSNFI011

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封装
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S25FS512SDSNFI011
S25FS512SDSNFI011
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FS512SDSNFI011
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 410
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 410
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS512SDSNFI011是一款512 Mb串行NOR闪存，采用Infineon 65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构。工作电压1.7 V至2.0 V，支持SPI多I/O（单、双、四、DDR模式），最大读取速度80 MB/s。具备512字节页编程缓冲区、混合和均匀扇区擦除、10万次最小擦写周期和20年数据保持。提供汽车和工业级。应用包括代码影子、XIP和嵌入式存储。

特性

  • 支持多I/O的SPI接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24或32位寻址
  • 兼容S25FL SPI系列
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 支持突发和XIP执行
  • 256/512字节页编程缓冲
  • 编程/擦除挂起与恢复
  • 内置单比特纠错ECC
  • 混合与均匀扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保存

产品优势

  • 灵活接口适配多种主控
  • 高速数据传输与启动
  • 支持大容量系统寻址
  • 便于SPI设计升级迁移
  • 高效快速数据访问
  • 支持XIP提升系统性能
  • 编程高效加快更新
  • 编程/擦除停机时间短
  • 数据可靠性与完整性提升
  • 灵活内存管理满足多需求
  • 高寿命适应严苛应用
  • 关键数据长期安全存储

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }