现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TFANHB013

数据手册
封装
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S25HL512TFANHB013
S25HL512TFANHB013
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25HL512TFANHB013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HL512TFANHB013是一款512 Mb SEMPER™ NOR闪存，采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，支持Quad SPI最高83 MBps（SDR）和102 MBps（DDR）。具备灵活扇区架构，主阵列扇区擦写寿命至少128万次，数据保持25年。符合ISO 26262 ASIL B，集成ECC和SafeBoot，保障功能安全。工作电压2.7 V至3.6 V，适用于汽车和工业应用。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™单元存2位数据
  • 均匀与混合扇区架构
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • 1024字节OTP安全硅阵列
  • Quad SPI最高102 MBps (DDR, 102 MHz)
  • Dual SPI最高41.5 MBps (SDR, 166 MHz)
  • SPI最高21 MBps (SDR, 166 MHz)
  • 功能安全：ISO26262 ASIL B合规
  • Endurance Flex高耐久/长保留分区
  • 数据完整性CRC与内建ECC
  • SafeBoot支持初始化/配置恢复
  • 传统与高级扇区保护

产品优势

  • 高密度可靠存储节省空间
  • 灵活扇区适应多场景需求
  • 快速编程提升效率
  • OTP保障设备安全
  • 高速SPI实现快速传输
  • 功能安全适用于关键应用
  • 分区优化耐久与保存
  • CRC/ECC保障数据完整性
  • SafeBoot提升系统可靠性
  • 高级保护防止非法访问
  • 即刻启动加快系统响应
  • 硬件复位提升系统稳定

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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