现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TFANHI010

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每件.
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S25HL512TFANHI010
S25HL512TFANHI010
每件.
数据手册

商品详情

  • 在NPSG中发布
    N
  • 在PSG中发布
    N
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HL512TFANHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列中的 S25HL512TFANHI010 具有 512 Mbit 密度和四路 SPI 接口。该设备的工作电压为 3V，提供 102 MByte/s 的接口带宽以及 166 MHz（SDR）和 102 MHz（DDR）的频率。主要特性包括英飞凌无与伦比的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术、各种扇区架构选项、256 或 512 字节的页面编程缓冲区以及 1024 字节的 OTP 安全硅阵列。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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