现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TFANHI013

数据手册
封装
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S25HL512TFANHI013
S25HL512TFANHI013
数据手册

商品详情

  • 在NPSG中发布
    N
  • 在PSG中发布
    N
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HL512TFANHI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 S25HL512TFANHI013 是创新型 SEMPER ™ NOR 闪存系列的一部分。该内存单元的密度为 512 Mbit，并配有四路 SPI 接口，带宽高达 102 MByte/s。它以 3V 的最佳电压运行，并具有 166/102 MHz 的可变接口频率 (SDR/DDR)。S25HL512TFANHI013 采用可靠且坚固的 PG-WSON-8 Infineon 封装。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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