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符合RoHS标准
无铅

S25HS512TDPNHB013

数据手册
封装

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S25HS512TDPNHB013
S25HS512TDPNHB013
数据手册

商品详情

  • Classification
    ISO 26262-compliant
  • Publish in NPSG
    N
  • Publish in PSG
    N
  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    66 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    HS-T
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
S25HS512TDPNHB013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TDPNHB013 是英飞凌 HS-T 系列的 SEMPER ™ NOR 闪存产品。这款汽车级内存具有 512 Mbit 密度，并在四路 SPI 接口上运行。其接口带宽为 66 MByte/s，工作电压为 1.8 伏。SDR 和 DDR 的接口频率分别为 133/66 MHz。它符合 ISO 26262 标准，采用 PG-WSON-8 英飞凌封装。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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